Capteur photoélectrique• Format: Parallélépipédique• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe • Principe de détection: Élimination d'arrière-plan • Distance de commutation max.: 20 mm .. . 950 mm • Réglage: Potentiomètre, 5 tours et sélecteur L/D• Source d'émission: LED PinPoint, Lumière rouge visible• Taille du spot lumineux (distance): Ø 8 mm (700 mm)• Sortie de commutation: NPN • Mode de commutation: Commutation claire/sombre• Fréquence de commutation: 1.000 Hz• Interface de communication: -• Raccordement: Câble 3 fils, 2 m, PVC• Tension d'alimentation: 10-30Vdc• Dimensions (l x H x P): 20 mm x 50 mm x 39 mm• Matériau du boîtier: Plastique, ABS/PMMA• Indice de protection: IP67 • Température de fonctionnement: –30 °C .. . +60 °C • Compris dans la livraison: Livré avec équerre (BEF-G10DC01)• Série: G10
Cellule EAP NPN P=400mm Pot. Laser LO/DO 10-30Vdc / M08 4P
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Le capteur photoélectrique Sick EAP NPN est un appareil de haute technologie conçu pour une détection précise dans diverses applications industrielles. Doté d'un format parallélépipédique compact, ce capteur offre des performances fiables et une grande polyvalence.
- Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection: Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max.: 400 mm
- Réglage: Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission: Laser, Lumière rouge visible, Classe 1
- Taille du spot lumineux (distance): Ø 0,4 mm (150 mm)
- Sortie de commutation: NPN
- Mode de commutation: Commutation claire/sombre
- Temps de réponse: 625 µs
- Fréquence de commutation: 1.000 Hz
- Raccordement: Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation: 10-30Vdc
- Dimensions (l x H x P): 12 mm x 31,5 mm x 21 mm
- Materiau du boîtier: Plastique, ABS/PC
- Indice de protection: IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement: -25°C à +50°C
Ce capteur photoélectrique Sick est livré avec une équerre de fixation en inox (1.4301/304) BEF-W100-A, offrant une installation facile et sécurisée. La série G6 garantit une qualité et une fiabilité exceptionnelles pour répondre aux exigences les plus strictes de l'industrie.
Caractéristiques
- Nom/numéro du modèle
- GTB6L-N4211
- Référence DirectIndustry
- 0005774365
Description
Le capteur photoélectrique Sick EAP NPN est un appareil de haute technologie conçu pour une détection précise dans diverses applications industrielles. Doté d'un format parallélépipédique compact, ce capteur offre des performances fiables et une grande polyvalence.
- Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection: Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max.: 400 mm
- Réglage: Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission: Laser, Lumière rouge visible, Classe 1
- Taille du spot lumineux (distance): Ø 0,4 mm (150 mm)
- Sortie de commutation: NPN
- Mode de commutation: Commutation claire/sombre
- Temps de réponse: 625 µs
- Fréquence de commutation: 1.000 Hz
- Raccordement: Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation: 10-30Vdc
- Dimensions (l x H x P): 12 mm x 31,5 mm x 21 mm
- Materiau du boîtier: Plastique, ABS/PC
- Indice de protection: IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement: -25°C à +50°C
Ce capteur photoélectrique Sick est livré avec une équerre de fixation en inox (1.4301/304) BEF-W100-A, offrant une installation facile et sécurisée. La série G6 garantit une qualité et une fiabilité exceptionnelles pour répondre aux exigences les plus strictes de l'industrie.
Documentation technique
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