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- Détecteur photoélectrique
- Cellule EAP PNP/NPN P=2,5m IR E.test Tempo / Bornier
Cellule EAP PNP/NPN P=2,5m IR E.test Tempo / Bornier
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Marque : SICK
Cellule EAP PNP/NPN P=2,5m IR E.test Tempo / Bornier
La cellule photoélectrique de la marque Sick est un capteur de haute qualité conçu pour une utilisation industrielle fiable et précise. Avec ses caractéristiques avancées, elle offre des performances optimales pour la détection dans diverses applications.
- Format: Parallélépipédique
- Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection: Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max.: 100 mm à 2.500 mm
- Réglage: Potentiomètre
- Source d'émission: LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance): Ø 80 mm à 2.500 mm
- Sortie de commutation: NPN, PNP
- Mode de commutation: Commutation claire/sombre
- Temps de réponse: max. 500 µs
- Fréquence de commutation: 1.000 Hz
- Temporisation: 0,5 s à 10 s
- Entrée test émetteur coupé: TE après 0 V
- Raccordement: Bornier, via M16 x 1
- Tension d'alimentation: 10-30Vdc
- Dimensions: 27 mm x 87,5 mm x 65 mm
- Matériau du boîtier: Métal, zinc moulé sous pression
- Chauffage de la vitre frontale: Oui
- Indice de protection: IP69K
- Température de fonctionnement: –40 °C à +60 °C
- Série: W24-2
Ce détecteur photoélectrique de la marque Sick est idéal pour les environnements industriels exigeants, offrant une fiabilité et une précision exceptionnelles. Sa conception robuste et ses performances avancées en font un choix optimal pour les applications de détection. Optez pour la qualité et la performance avec la cellule EAP PNP/NPN de Sick.
Caractéristiques
- Nom/numéro du modèle
- WT24-2B220
- Référence DirectIndustry
- 0005773971
Description
Cellule EAP PNP/NPN P=2,5m IR E.test Tempo / Bornier
La cellule photoélectrique de la marque Sick est un capteur de haute qualité conçu pour une utilisation industrielle fiable et précise. Avec ses caractéristiques avancées, elle offre des performances optimales pour la détection dans diverses applications.
- Format: Parallélépipédique
- Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection: Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max.: 100 mm à 2.500 mm
- Réglage: Potentiomètre
- Source d'émission: LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance): Ø 80 mm à 2.500 mm
- Sortie de commutation: NPN, PNP
- Mode de commutation: Commutation claire/sombre
- Temps de réponse: max. 500 µs
- Fréquence de commutation: 1.000 Hz
- Temporisation: 0,5 s à 10 s
- Entrée test émetteur coupé: TE après 0 V
- Raccordement: Bornier, via M16 x 1
- Tension d'alimentation: 10-30Vdc
- Dimensions: 27 mm x 87,5 mm x 65 mm
- Matériau du boîtier: Métal, zinc moulé sous pression
- Chauffage de la vitre frontale: Oui
- Indice de protection: IP69K
- Température de fonctionnement: –40 °C à +60 °C
- Série: W24-2
Ce détecteur photoélectrique de la marque Sick est idéal pour les environnements industriels exigeants, offrant une fiabilité et une précision exceptionnelles. Sa conception robuste et ses performances avancées en font un choix optimal pour les applications de détection. Optez pour la qualité et la performance avec la cellule EAP PNP/NPN de Sick.
Documentation technique
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