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- Détecteur photoélectrique
- Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m IR LO / M12 4P
Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m IR LO / M12 4P
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Marque : SICK
Titre : Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m IR LO / M12 4P
La Cellule EAP PNP/NPN de la marque Sick est un détecteur photoélectrique de format parallélépipédique conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection à réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale allant de 10 mm à 1.500 mm, assurant une grande flexibilité d'utilisation.
- Source d'émission : Equipé d'une LED et d'une lumière infrarouge, ce capteur photoélectrique garantit une haute performance de détection même dans des conditions d'éclairage difficiles.
- Sortie de commutation : Disponible en mode PUSH/PULL, PNP et NPN, offrant ainsi une compatibilité étendue avec différents systèmes de contrôle.
- Temps de réponse : Avec un temps de réponse maximal de 500 µs et une fréquence de commutation de 1.000 Hz, ce capteur assure une réactivité optimale pour des processus industriels rapides.
- Raccordement : Facile à installer grâce à son connecteur mâle M12 à 4 pôles, assurant une connexion stable et sécurisée.
Ce capteur photoélectrique Sick est conçu pour résister aux environnements industriels les plus exigeants, avec un boîtier en VISTAL® offrant une protection IP66, IP67 et IP69 selon la norme EN 60529. Sa plage de température de fonctionnement allant de -40 °C à +60 °C garantit des performances fiables même dans des conditions extrêmes.
Intégrant la technologie Smart Sensor, ce capteur offre des fonctionnalités avancées telles que l'Enhanced Sensing, la Communication efficace et le Smart Task, assurant une détection précise et une intégration aisée dans les systèmes industriels.
La Cellule EAP PNP/NPN de Sick de la série W16 est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection fiable, rapide et précise, tout en offrant une facilité d'installation et une durabilité exceptionnelle.
Caractéristiques
- Portée maximale (m)
- 1.5
- Nom/numéro du modèle
- WTB16I-2416A121A00
- Référence DirectIndustry
- 0005783258
Description
Titre : Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m IR LO / M12 4P
La Cellule EAP PNP/NPN de la marque Sick est un détecteur photoélectrique de format parallélépipédique conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection à réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale allant de 10 mm à 1.500 mm, assurant une grande flexibilité d'utilisation.
- Source d'émission : Equipé d'une LED et d'une lumière infrarouge, ce capteur photoélectrique garantit une haute performance de détection même dans des conditions d'éclairage difficiles.
- Sortie de commutation : Disponible en mode PUSH/PULL, PNP et NPN, offrant ainsi une compatibilité étendue avec différents systèmes de contrôle.
- Temps de réponse : Avec un temps de réponse maximal de 500 µs et une fréquence de commutation de 1.000 Hz, ce capteur assure une réactivité optimale pour des processus industriels rapides.
- Raccordement : Facile à installer grâce à son connecteur mâle M12 à 4 pôles, assurant une connexion stable et sécurisée.
Ce capteur photoélectrique Sick est conçu pour résister aux environnements industriels les plus exigeants, avec un boîtier en VISTAL® offrant une protection IP66, IP67 et IP69 selon la norme EN 60529. Sa plage de température de fonctionnement allant de -40 °C à +60 °C garantit des performances fiables même dans des conditions extrêmes.
Intégrant la technologie Smart Sensor, ce capteur offre des fonctionnalités avancées telles que l'Enhanced Sensing, la Communication efficace et le Smart Task, assurant une détection précise et une intégration aisée dans les systèmes industriels.
La Cellule EAP PNP/NPN de Sick de la série W16 est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection fiable, rapide et précise, tout en offrant une facilité d'installation et une durabilité exceptionnelle.
Documentation technique
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