Titre : Cellule EAP NPN P=25-300mm Pot. Laser LO/DO / M12 4P+C0.3m
Description :
Format : Parallélépipédique
Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
Principe de détection : Élimination de l'arrière-plan
Portée : 25-300 mm
Réglage : Potentiomètre, 5 tours
Source d'émission : Laser, Lumière rouge, Classe 1
Diamètre du spot (type) : 0,5 mm de diamètre à 300 mm
Sortie de commutation : NPN
Mode de commutation : Commutation claire/sombre
Temps de réponse : Max. 0.5 ms
Raccordement : Câble avec connecteur mâle M12 4 pôles, 0,3 m
Tension d'alimentation : 12 à 24 Vc.c. ±10%
Dimensions : 31 x 20 x 11 mm
Matériau du boîtier : PBT
Degré de protection : IP67 (IEC 60529)
Température de fonctionnement : -25 à 55 °C
Série : E3Z
Marque : Omron
Catégorie : détecteur photoélectrique
Cette cellule EAP NPN de la marque Omron est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, idéal pour une détection précise. Son principe de détection à réflexion directe permet une élimination efficace de l'arrière-plan, assurant une mesure fiable sur une portée de 25 à 300 mm. Le réglage du capteur se fait facilement grâce à un potentiomètre à 5 tours.
Doté d'une source d'émission laser de lumière rouge de Classe 1, ce capteur offre un diamètre de spot de 0,5 mm à 300 mm, assurant une détection précise. La sortie de commutation NPN et le mode de commutation claire/sombre garantissent une utilisation polyvalente.
Avec un temps de réponse maximal de 0.5 ms, ce capteur photoélectrique est réactif et précis. Son raccordement se fait via un câble avec connecteur mâle M12 4 pôles de 0,3 m, facilitant son installation. Fonctionnant sous une tension d'alimentation de 12 à 24 Vc.c. ±10%, ce capteur est adapté à diverses applications industrielles.
Le boîtier en PBT assure une protection IP67, le rendant robuste et fiable dans des environnements difficiles. Avec une plage de température de fonctionnement de -25 à 55 °C, ce capteur est conçu pour des conditions variées. La série E3Z garantit une qualité et une performance optimales pour vos besoins de détection photoélectrique.