Capteur photoélectrique• Format: Parallélépipédique• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe • Principe de détection: Élimination d'arrière-plan• Distance de commutation: 15 .. . 300 mm• Réglage: Potentiomètre• Source d'émission: LED, Lumière rouge• Sortie de commutation: PNP• Mode de commutation: Commutation claire/sombre • Interface de communication: -• Raccordement: Connecteur mâle M8, 4 pôles• Tension d'alimentation: 10-30Vdc• Dimensions (L x H x P): 12,4 x 35 x 35 mm• Matériau du boîtier: Zinc moulé sous pression• Indice de protection: IP67• Température de fonctionnement: -25 .. . +65 °C
Cellule EAP PNP P=950mm Pot. Pinpoint LO/DO 10-30Vdc / M12 4P
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Marque : SICK
Titre : Cellule EAP PNP P=950mm Pot. Pinpoint LO/DO 10-30Vdc / M12 4P
La Cellule EAP PNP P=950mm de la marque Sick est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection à réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale de 950 mm, assurant une couverture étendue.
Caractéristiques clés :
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours et sélecteur L/D
- Source d'émission : LED PinPoint, Lumière rouge visible
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 8 mm (700 mm)
- Sortie de commutation : PNP
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 20 mm x 50 mm x 39 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS/PMMA
- Indice de protection : IP67
- Température ambiante d'utilisation : –30 °C à +60 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série G10 est idéal pour les environnements industriels exigeants, offrant une fiabilité et une précision optimales. Livré avec une équerre de fixation Q-Lock (BEF-KHSQ12R01), il est prêt à être installé et utilisé immédiatement.
Optez pour la qualité et la performance avec la Cellule EAP PNP P=950mm de Sick, un choix sûr pour vos besoins de détection photoélectrique.
Caractéristiques
- Portée maximale (m)
- 0.9
- Configuration
- autre
- Type de faisceaux
- lumière rouge, LED
- Nom/numéro du modèle
- GTB10-P4214
- Connexion électrique
- connecteur M12
- Niveau de protection
- IP67
- Matériau
- en plastique
- Température de fonctionnement (°C)
- 60
- Type
- à réflexion directe
- Référence DirectIndustry
- 0005783008
Description
Titre : Cellule EAP PNP P=950mm Pot. Pinpoint LO/DO 10-30Vdc / M12 4P
La Cellule EAP PNP P=950mm de la marque Sick est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection à réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale de 950 mm, assurant une couverture étendue.
Caractéristiques clés :
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours et sélecteur L/D
- Source d'émission : LED PinPoint, Lumière rouge visible
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 8 mm (700 mm)
- Sortie de commutation : PNP
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 20 mm x 50 mm x 39 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS/PMMA
- Indice de protection : IP67
- Température ambiante d'utilisation : –30 °C à +60 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série G10 est idéal pour les environnements industriels exigeants, offrant une fiabilité et une précision optimales. Livré avec une équerre de fixation Q-Lock (BEF-KHSQ12R01), il est prêt à être installé et utilisé immédiatement.
Optez pour la qualité et la performance avec la Cellule EAP PNP P=950mm de Sick, un choix sûr pour vos besoins de détection photoélectrique.
Documentation technique
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