Capteur photoélectrique• Format: Cylindrique fileté, M8 x 1• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe• Principe de détection: Énergétique• Distance de commutation max.: 80 mm• Réglage: -• Source d'émission: LED, Lumière infrarouge• Sortie de commutation: PNP• Mode de commutation: Commutation claire• Interface de communication: -• Raccordement: Connecteur mâle M8, 3 pôles• Tension d'alimentation: 10-30Vdc• Dimensions (L x H x P): 8 x 12 x 67 mm• Matériau du boîtier: Aluminium anodisé• Indice de protection: IP65 • Température de fonctionnement: -25 .. . +65 °C
Cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P
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Marque : Sick
Cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P - Détecteur photoélectrique de la marque Sick
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique qui offre des performances exceptionnelles pour la détection dans les environnements industriels les plus exigeants. Grâce à son principe de détection par élimination d'arrière-plan, ce capteur garantit une détection précise et fiable, même dans des conditions difficiles.
Voici les caractéristiques clés de la Cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P :
- Distance de commutation max. : 800 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 40 mm (400 mm)
- Sortie de commutation : PNP
- Type de commutation : Antivalente
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 200 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions (l x H x P) : 12,2 mm x 49,8 mm x 23,6 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®, plastique, PMMA
- Indice de protection : IP66, IP67, IP69K
- Température de fonctionnement : –40 °C à +60 °C
- Série : W9-3
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P est conçue pour répondre aux besoins des applications industrielles les plus exigeantes. Son indice de protection IP66, IP67 et IP69K garantit une protection contre la poussière, l'eau et les jets haute pression, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements difficiles.
Avec sa taille compacte et son boîtier en plastique de haute qualité, ce capteur est à la fois robuste et durable. Sa plage de tension d'alimentation de 10-30Vdc offre une grande flexibilité d'installation.
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P de la marque Sick est le choix parfait pour les professionnels à la recherche d'un capteur photoélectrique performant et fiable pour leurs applications industrielles.
Caractéristiques
- Référence DirectIndustry
- 0005786964
Description
Cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P - Détecteur photoélectrique de la marque Sick
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique qui offre des performances exceptionnelles pour la détection dans les environnements industriels les plus exigeants. Grâce à son principe de détection par élimination d'arrière-plan, ce capteur garantit une détection précise et fiable, même dans des conditions difficiles.
Voici les caractéristiques clés de la Cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P :
- Distance de commutation max. : 800 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 40 mm (400 mm)
- Sortie de commutation : PNP
- Type de commutation : Antivalente
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 200 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions (l x H x P) : 12,2 mm x 49,8 mm x 23,6 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®, plastique, PMMA
- Indice de protection : IP66, IP67, IP69K
- Température de fonctionnement : –40 °C à +60 °C
- Série : W9-3
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P est conçue pour répondre aux besoins des applications industrielles les plus exigeantes. Son indice de protection IP66, IP67 et IP69K garantit une protection contre la poussière, l'eau et les jets haute pression, ce qui en fait un choix idéal pour les environnements difficiles.
Avec sa taille compacte et son boîtier en plastique de haute qualité, ce capteur est à la fois robuste et durable. Sa plage de tension d'alimentation de 10-30Vdc offre une grande flexibilité d'installation.
La cellule EAP PNP P=800mm Pot. IR LO/DO / M08 4P de la marque Sick est le choix parfait pour les professionnels à la recherche d'un capteur photoélectrique performant et fiable pour leurs applications industrielles.
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