Cellule EAP PNP P=120mm Teach Laser LO/DO / M08 4P

Titre : Cellule EAP PNP P=120mm Teach Laser LO/DO / M08 4P

Description :

• Capteur photoélectrique
• Format: Parallélépipédique
• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe
• Principe de détection: Suppression de l'arrière-plan
• Portée: 4...120 mm
• Réglage: Touche d'apprentissage
• Source d'émission: Laser, Lumière rouge
• Taille du spot lumineux: Ø 1.2 mm à 120 mm
• Sortie de commutation: PNP
• Type de commutation: Contact à fermeture / ouverture (NO/NF)
• Mode de commutation: Commutation claire / sombre
• Fréquence de commutation: 1000 Hz
• Interface de communication: -
• Mode de raccordement: Connecteur mâle M8 4 pôles
• Tension d'alimentation: 10-30 Vdc
• Dimensions: 12 x 37,9 x 21,6 mm
• Matériau du boîtier: ABS (plastique)
• Classe de protection: IP67 (selon IEC 60529), IP69K (selon DIN 40050)
• Température ambiante: -20…60 °C
• Série: BOS 6K

Marque : BALLUFF

Catégorie : détecteur photoélectrique

Cette cellule EAP PNP de la marque BALLUFF est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, idéal pour la détection à réflexion directe avec suppression de l'arrière-plan. Sa portée de 4 à 120 mm et son réglage par touche d'apprentissage en font un outil polyvalent. Doté d'une source d'émission laser et lumière rouge, il offre un spot lumineux de Ø 1.2 mm à 120 mm. La sortie de commutation PNP et le type de commutation en contact à fermeture / ouverture (NO/NF) permettent une utilisation flexible. Avec un mode de commutation claire / sombre et une fréquence de commutation de 1000 Hz, ce capteur garantit une détection précise. Son raccordement via un connecteur mâle M8 4 pôles facilite son installation. La cellule EAP PNP est alimentée en 10-30 Vdc, possède un boîtier en ABS résistant et est classée IP67 et IP69K pour une protection optimale. Avec une plage de température ambiante de -20 à 60 °C, elle convient à divers environnements. La série BOS 6K assure une qualité et une fiabilité supérieures pour vos applications industrielles.