Capteur photoélectrique• Format: Parallélépipédique• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe• Principe de détection: Élimination d'arrière-plan• Distance de commutation max.: 250 mm• Réglage: qTeach et externe et IO-Link• Source d'émission: Laser, Lumière rouge, Classe 1• Forme du faisceau: Ligne• Sortie de commutation: Push-pull• Mode de commutation: Commutation claire/sombre• Temps d'activation / désactivation: < 1,5 ms• Interface de communication: IO-Link• Raccordement: Connecteur mâle M8, 4 pôles• Tension d'alimentation: 11-30Vdc• Dimensions (L x H x P): 12,9 x 32,3 x 23 mm• Matériau du boîtier: Plastique (ASA, PmmA) • Indice de protection: IP67 • Température de fonctionnement: -10 .. . +60 °C• Série: O300
Cellule EAP PNP/NPN P=2m IR IO-Link LO/DO / M12 4P
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Marque : Sick
Cellule EAP PNP/NPN P=2m IR IO-Link LO/DO / M12 4P
La cellule EAP PNP/NPN de la marque Sick est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection par réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale allant de 30 mm à 2.000 mm, assurant une couverture étendue.
- Principales caractéristiques :
- Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 14 mm (1.000 mm)
- Sortie de commutation : PUSH/PULL, PNP, NPN
- Mode de commutation : Claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Temporisation : 0 à 30.000 ms
- Interface de communication : IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud)
- Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions (L x H x P) : 24,6 mm x 82,5 mm x 53,3 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®
- Indice de protection : IP66, IP67, IP69 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –40 °C à +60 °C
- Smart Sensor : Enhanced Sensing (Logique de base), Communication efficace, Smart Task
- Série : W26
Ce détecteur photoélectrique de haute qualité offre une fiabilité et une précision optimales, adapté à un large éventail d'applications industrielles. Sa conception robuste en plastique VISTAL® et son indice de protection IP66, IP67, IP69 garantissent une durabilité et une résistance aux environnements difficiles. Grâce à ses fonctionnalités avancées telles que l'Enhanced Sensing et la communication efficace via IO-Link, ce capteur offre des performances supérieures et une intégration aisée dans les systèmes existants.
Caractéristiques
- Nom/numéro du modèle
- WTB26I-24161122A00
- Référence DirectIndustry
- 0005779023
Description
Cellule EAP PNP/NPN P=2m IR IO-Link LO/DO / M12 4P
La cellule EAP PNP/NPN de la marque Sick est un capteur photoélectrique de format parallélépipédique, conçu pour une détection précise et fiable dans diverses applications industrielles. Doté d'un principe de détection par réflexion directe et d'une élimination d'arrière-plan, ce capteur offre une distance de commutation maximale allant de 30 mm à 2.000 mm, assurant une couverture étendue.
- Principales caractéristiques :
- Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
- Taille du spot lumineux (distance) : Ø 14 mm (1.000 mm)
- Sortie de commutation : PUSH/PULL, PNP, NPN
- Mode de commutation : Claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Temporisation : 0 à 30.000 ms
- Interface de communication : IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud)
- Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions (L x H x P) : 24,6 mm x 82,5 mm x 53,3 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®
- Indice de protection : IP66, IP67, IP69 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –40 °C à +60 °C
- Smart Sensor : Enhanced Sensing (Logique de base), Communication efficace, Smart Task
- Série : W26
Ce détecteur photoélectrique de haute qualité offre une fiabilité et une précision optimales, adapté à un large éventail d'applications industrielles. Sa conception robuste en plastique VISTAL® et son indice de protection IP66, IP67, IP69 garantissent une durabilité et une résistance aux environnements difficiles. Grâce à ses fonctionnalités avancées telles que l'Enhanced Sensing et la communication efficace via IO-Link, ce capteur offre des performances supérieures et une intégration aisée dans les systèmes existants.
Documentation technique
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