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Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P

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Marque : SICK

Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P de la marque Sick est un capteur photoélectrique de haute qualité conçu pour répondre aux besoins des applications industrielles. Avec sa technologie avancée et ses fonctionnalités innovantes, ce capteur offre une performance fiable et précise.

Voici les caractéristiques clés de la cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P :

  • Format : Parallélépipédique
  • Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
  • Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
  • Distance de commutation max. : 10 mm ... 1.500 mm
  • Réglage : Touche d'apprentissage, câble, potentiomètre
  • Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
  • Taille du spot lumineux (distance) : Ø 12 mm (800 mm)
  • Sortie de commutation : PUSH/PULL, PNP, NPN
  • Mode de commutation : Commutation claire/sombre
  • Fréquence de commutation : 1.000 Hz
  • Interface de communication : IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud)
  • Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
  • Tension d'alimentation : 10-30Vdc
  • Dimensions (l x H x P) : 20 mm x 55,7 mm x 42 mm
  • Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®
  • Indice de protection : IP66, IP67, IP69 (EN 60529)
  • Température de fonctionnement : –40 °C ... +60 °C
  • Smart Sensor : Enhanced Sensing, Communication efficace, Smart Task (Logique de base)
  • Série : W16

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P est idéale pour une utilisation dans diverses applications industrielles. Sa conception robuste et sa protection IP66, IP67, IP69 garantissent une durabilité et une fiabilité exceptionnelles, même dans des environnements difficiles.

Avec sa technologie avancée de détection à réflexion directe et son mode de commutation claire/sombre, ce capteur offre une précision de détection optimale. De plus, sa fréquence de commutation élevée de 1.000 Hz permet une réponse rapide et une performance fiable.

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P est également dotée d'une interface de communication IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud), ce qui permet une intégration facile dans les systèmes existants et une communication efficace avec d'autres équipements.

Avec sa taille compacte de 20 mm x 55,7 mm x 42 mm, ce capteur peut être facilement installé dans des espaces restreints. De plus, son réglage pratique via une touche d'apprentissage, un câble ou un potentiomètre facilite son utilisation et son adaptation aux besoins spécifiques de chaque application.

En conclusion, la cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P de la marque Sick est un choix idéal pour les professionnels à la recherche d'un capteur photoélectrique performant et fiable. Sa technologie avancée, sa robustesse et sa facilité d'utilisation en font un outil essentiel pour optimiser les processus industriels.

Lire la description

Caractéristiques

Poids (kg)
0.05
Portée maximale (m)
1.5
Configuration
autre
Type de faisceaux
lumière rouge, LED
Nom/numéro du modèle
WTB16I-24161120A00
Connexion électrique
connecteur M12
Niveau de protection
IP66
Matériau
en plastique
Température de fonctionnement (°C)
60
Type
à réflexion directe
Référence DirectIndustry
0005792369

Description

Cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P de la marque Sick est un capteur photoélectrique de haute qualité conçu pour répondre aux besoins des applications industrielles. Avec sa technologie avancée et ses fonctionnalités innovantes, ce capteur offre une performance fiable et précise.

Voici les caractéristiques clés de la cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P :

  • Format : Parallélépipédique
  • Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
  • Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
  • Distance de commutation max. : 10 mm ... 1.500 mm
  • Réglage : Touche d'apprentissage, câble, potentiomètre
  • Source d'émission : LED, Lumière infrarouge
  • Taille du spot lumineux (distance) : Ø 12 mm (800 mm)
  • Sortie de commutation : PUSH/PULL, PNP, NPN
  • Mode de commutation : Commutation claire/sombre
  • Fréquence de commutation : 1.000 Hz
  • Interface de communication : IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud)
  • Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles
  • Tension d'alimentation : 10-30Vdc
  • Dimensions (l x H x P) : 20 mm x 55,7 mm x 42 mm
  • Matériau du boîtier : Plastique, VISTAL®
  • Indice de protection : IP66, IP67, IP69 (EN 60529)
  • Température de fonctionnement : –40 °C ... +60 °C
  • Smart Sensor : Enhanced Sensing, Communication efficace, Smart Task (Logique de base)
  • Série : W16

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P est idéale pour une utilisation dans diverses applications industrielles. Sa conception robuste et sa protection IP66, IP67, IP69 garantissent une durabilité et une fiabilité exceptionnelles, même dans des environnements difficiles.

Avec sa technologie avancée de détection à réflexion directe et son mode de commutation claire/sombre, ce capteur offre une précision de détection optimale. De plus, sa fréquence de commutation élevée de 1.000 Hz permet une réponse rapide et une performance fiable.

La cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P est également dotée d'une interface de communication IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud), ce qui permet une intégration facile dans les systèmes existants et une communication efficace avec d'autres équipements.

Avec sa taille compacte de 20 mm x 55,7 mm x 42 mm, ce capteur peut être facilement installé dans des espaces restreints. De plus, son réglage pratique via une touche d'apprentissage, un câble ou un potentiomètre facilite son utilisation et son adaptation aux besoins spécifiques de chaque application.

En conclusion, la cellule EAP PNP/NPN P=1.5m Pot. IR LO/DO / M12 4P de la marque Sick est un choix idéal pour les professionnels à la recherche d'un capteur photoélectrique performant et fiable. Sa technologie avancée, sa robustesse et sa facilité d'utilisation en font un outil essentiel pour optimiser les processus industriels.

Documentation technique

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