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Cellule EAP NPN P=800mm Pot. Laser LO/DO 10-30Vdc / M12 4P

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Marque : BALLUFF
Titre : Cellule EAP NPN P=800mm Pot. Laser LO/DO 10-30Vdc / M12 4P

Vous recherchez un capteur photoélectrique performant et fiable pour vos applications industrielles ? Découvrez la Cellule EAP NPN de la marque BALLUFF, conçue pour répondre à vos besoins les plus exigeants.

  • Format : Parallélépipédique
  • Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
  • Principe de détection : Suppression de l'arrière-plan
  • Portée Sn : 800 mm réglable (5...800 mm)
  • Réglage : Potentiomètre
  • Source d'émission : Laser, Lumière rouge
  • Taille du spot lumineux : 2.2 x 2.2 mm à 800 mm
  • Caractéristique faisceau : Collimaté
  • Sortie de commutation : NPN
  • Type de commutation : Contact antivalent (NO+NF)
  • Mode de commutation : Commutation claire/sombre
  • Fréquence de commutation : 1.000 Hz
  • Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles, orientable, codé-A
  • Tension d'alimentation : 10-30Vdc
  • Dimensions : 23 x 51 x 52,4 mm
  • Matériau du boîtier : PC, ABS
  • Classe de protection : IP67 (IEC 60529), IP69K (DIN 40050)
  • Température de fonctionnement : -20...60 °C
  • Homologation / conformité : CE, Ecolab, cULus, EAC, WEEE
  • Série : 23K

Ce capteur photoélectrique BALLUFF est idéal pour les environnements exigeants grâce à sa conception robuste et sa protection IP67 et IP69K. Sa haute fréquence de commutation et sa grande portée en font un choix de qualité pour vos applications industrielles. Ne laissez pas la détection au hasard, optez pour la fiabilité de la Cellule EAP NPN.

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Caractéristiques

Nom/numéro du modèle
BOS 23K-NU-LH10-S4 (BOS017E)
Référence DirectIndustry
0005786098

Description

Titre : Cellule EAP NPN P=800mm Pot. Laser LO/DO 10-30Vdc / M12 4P

Vous recherchez un capteur photoélectrique performant et fiable pour vos applications industrielles ? Découvrez la Cellule EAP NPN de la marque BALLUFF, conçue pour répondre à vos besoins les plus exigeants.

  • Format : Parallélépipédique
  • Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
  • Principe de détection : Suppression de l'arrière-plan
  • Portée Sn : 800 mm réglable (5...800 mm)
  • Réglage : Potentiomètre
  • Source d'émission : Laser, Lumière rouge
  • Taille du spot lumineux : 2.2 x 2.2 mm à 800 mm
  • Caractéristique faisceau : Collimaté
  • Sortie de commutation : NPN
  • Type de commutation : Contact antivalent (NO+NF)
  • Mode de commutation : Commutation claire/sombre
  • Fréquence de commutation : 1.000 Hz
  • Raccordement : Connecteur mâle M12, 4 pôles, orientable, codé-A
  • Tension d'alimentation : 10-30Vdc
  • Dimensions : 23 x 51 x 52,4 mm
  • Matériau du boîtier : PC, ABS
  • Classe de protection : IP67 (IEC 60529), IP69K (DIN 40050)
  • Température de fonctionnement : -20...60 °C
  • Homologation / conformité : CE, Ecolab, cULus, EAC, WEEE
  • Série : 23K

Ce capteur photoélectrique BALLUFF est idéal pour les environnements exigeants grâce à sa conception robuste et sa protection IP67 et IP69K. Sa haute fréquence de commutation et sa grande portée en font un choix de qualité pour vos applications industrielles. Ne laissez pas la détection au hasard, optez pour la fiabilité de la Cellule EAP NPN.

Documentation technique

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