Capteur photoélectrique• Format: Parallélépipédique• Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe• Principe de détection: Élimination d'arrière-plan• Distance de commutation max.: 30 mm .. . 2.000 mm• Réglage: Touche d'apprentissage, câble, potentiomètre• Source d'émission: LED, Lumière infrarouge• Taille du spot lumineux (distance): Ø 14 mm (1.000 mm)• Sortie de commutation: PUSH/PULL, PNP, NPN• Mode de commutation: Commutation claire/sombre• Fréquence de commutation: 1.000 Hz• Interface de communication: IO-Link V1.1, COM2 (38,4 kBaud)• Raccordement: Câble avec connecteur mâle M12, 4 pôles 270 mm• Tension d'alimentation: 10-30Vdc• Dimensions (l x H x P): 24,6 mm x 82,5 mm x 53,3 mm• Matériau du boîtier: VISTAL®• Indice de protection: IP66, IP67, IP69 (EN 60529)• Température de fonctionnement: –40 °C .. . +60 °C • Smart Sensor: Enhanced Sensing, Communication efficace, Smart Task (Logique de base)• Série: W26
Cellule EAP NPN P=100mm Pot. LR LO/DO 10-30Vdc / M08 4P
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Le détecteur photoélectrique Cellule EAP NPN de la marque Sick est un équipement de haute qualité conçu pour une utilisation fiable et précise dans diverses applications industrielles. Voici les caractéristiques clés de ce capteur :
- Format : Parallélépipédique
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max. : 2 mm à 100 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière rouge visible
- Sortie de commutation : NPN
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 10 mm x 28 mm x 18 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS
- Indice de protection : IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –25 °C à +55 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série W150 est livré avec une équerre de fixation BEF-W150-A, offrant une installation pratique et sécurisée. Grâce à sa conception robuste et à ses performances fiables, la Cellule EAP NPN de Sick est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection précise et efficace.
Caractéristiques
- Nom/numéro du modèle
- WT150-N460
- Référence DirectIndustry
- 0005791166
Description
Le détecteur photoélectrique Cellule EAP NPN de la marque Sick est un équipement de haute qualité conçu pour une utilisation fiable et précise dans diverses applications industrielles. Voici les caractéristiques clés de ce capteur :
- Format : Parallélépipédique
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max. : 2 mm à 100 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière rouge visible
- Sortie de commutation : NPN
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 10 mm x 28 mm x 18 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS
- Indice de protection : IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –25 °C à +55 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série W150 est livré avec une équerre de fixation BEF-W150-A, offrant une installation pratique et sécurisée. Grâce à sa conception robuste et à ses performances fiables, la Cellule EAP NPN de Sick est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection précise et efficace.
Documentation technique
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