Cellule EAP NPN P=100mm Pot. LR LO/DO 10-30Vdc / M08 4P
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Marque : SICK
Titre : Cellule EAP NPN P=100mm Pot. LR LO/DO 10-30Vdc / M08 4P
Le détecteur photoélectrique Cellule EAP NPN de la marque Sick est un équipement de haute qualité conçu pour une utilisation fiable et précise dans diverses applications industrielles. Voici les caractéristiques clés de ce capteur :
- Format : Parallélépipédique
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max. : 2 mm à 100 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière rouge visible
- Sortie de commutation : NPN
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 10 mm x 28 mm x 18 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS
- Indice de protection : IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –25 °C à +55 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série W150 est livré avec une équerre de fixation BEF-W150-A, offrant une installation pratique et sécurisée. Grâce à sa conception robuste et à ses performances fiables, la Cellule EAP NPN de Sick est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection précise et efficace.
Caractéristiques
- Portée maximale (m)
- 0.1
- Nom/numéro du modèle
- WT150-N460
- Niveau de protection
- IP67
- Référence DirectIndustry
- 0005791166
Description
Titre : Cellule EAP NPN P=100mm Pot. LR LO/DO 10-30Vdc / M08 4P
Le détecteur photoélectrique Cellule EAP NPN de la marque Sick est un équipement de haute qualité conçu pour une utilisation fiable et précise dans diverses applications industrielles. Voici les caractéristiques clés de ce capteur :
- Format : Parallélépipédique
- Principe du capteur : Détecteur à réflexion directe
- Principe de détection : Élimination d'arrière-plan
- Distance de commutation max. : 2 mm à 100 mm
- Réglage : Potentiomètre, 5 tours
- Source d'émission : LED, Lumière rouge visible
- Sortie de commutation : NPN
- Mode de commutation : Commutation claire/sombre
- Fréquence de commutation : 1.000 Hz
- Raccordement : Connecteur mâle M8, 4 pôles
- Tension d'alimentation : 10-30Vdc
- Dimensions : 10 mm x 28 mm x 18 mm
- Matériau du boîtier : Plastique, ABS
- Indice de protection : IP67 (EN 60529)
- Température de fonctionnement : –25 °C à +55 °C
Ce détecteur photoélectrique de la série W150 est livré avec une équerre de fixation BEF-W150-A, offrant une installation pratique et sécurisée. Grâce à sa conception robuste et à ses performances fiables, la Cellule EAP NPN de Sick est un choix idéal pour les applications nécessitant une détection précise et efficace.
Documentation technique
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