Cellule EAP PNP P=120mm qTeach Laser LO/DO / M08 4P+C0.2m - O200.GL-PV1T.72NV/F040_H006
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Capteur photoélectrique Format: Parallélépipédique Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe Principe de détection: Élimination d'arrière-plan Distance de commutation: 20 120 mm Réglage: qTeach Source d'émission: Laser, Lumière rouge, Classe 1 Forme du faisceau: Point Sortie de commutation: PNP Mode de commutation: Commutation claire/sombre Raccordement: Câble avec connecteur mâle M8, 4 pôles, 200 mm, PVC Tension d'alimentation: 10-30Vdc Dimensions (L x H x P): 8 x 25,1 x 15,8 mm Matériau du boîtier: Plastique (ASA, PMMA) Face avant (optique): PMMA Indice de protection: IP67 Température de fonctionnement: -20 .. .
+50 °C Série: O200
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Caractéristiques
- Nom/numéro du modèle
- O200.GL-PV1T.72NV/F040_H006
- Niveau de protection
- IP67
- Référence DirectIndustry
- 0018410140
Description
Capteur photoélectrique Format: Parallélépipédique Principe du capteur: Détecteur à réflexion directe Principe de détection: Élimination d'arrière-plan Distance de commutation: 20 120 mm Réglage: qTeach Source d'émission: Laser, Lumière rouge, Classe 1 Forme du faisceau: Point Sortie de commutation: PNP Mode de commutation: Commutation claire/sombre Raccordement: Câble avec connecteur mâle M8, 4 pôles, 200 mm, PVC Tension d'alimentation: 10-30Vdc Dimensions (L x H x P): 8 x 25,1 x 15,8 mm Matériau du boîtier: Plastique (ASA, PMMA) Face avant (optique): PMMA Indice de protection: IP67 Température de fonctionnement: -20 .. .
+50 °C Série: O200
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